pn结 信息科学卷 pn结
在半导体中，由于掺杂不同而形成的n型区域和p型区域的交界层。pn结很薄，结中电子和空穴都很少，但在靠近n型一边有带正电荷的杂质离子，p型一边有带负电荷的杂质离子，因而在结中形成很强的局部电场，方向由n区指向p区。当结上加正向电压（即电压的正端加在p区，电压的负端加在n区）时，结中电场减弱，n区中的电子和p区中的空穴都容易通过结区，因而电流较大；当外加电压方向相反时，则结中电场增强，只有原在n区中的少数空穴和p区中的少数电子能通过结区，因而电流很小。这就是pn结的整流作用。当pn结受到光照时，产生电子和空穴。在结的局部电场作用下，电子移到n区，空穴移到p区，这样在结的两端就有电荷累积，形成电势差。这一现象称为pn结的“光伏效应”。由于这些特性，用pn结可制成半导体二极管和光电池等器件。
出处：信息科学卷-->微电子-->半导体器件与技术 数理化力学卷 pn结
在一块半导体中,由于掺杂不同而形成的n型区域和p型区域的交界层。pn结很薄,结中电子和空穴都很少,但在靠近n型一边有带正电荷的离子,p型一边有带负电荷的离子,因而在结中形成很强的局部电场,方向由n区指向p区。当结上加正向电压(即电压的正端加在p区,电压的负端加在n区)时,结中电场减弱,n区中的电子和p区中的空穴都容易通过,因而电流较大;当外加电压方向相反时,则结中电场增强,只有原在n区中的少数空穴和p区中的少数电子能通过,因而电流很小。因此,pn结具有整流作用。当pn结受到光照时,产生电子和空穴。在结的局部电场作用下,电子移到n区,空穴移到p区,这样在结的两端就有电荷累积,形成电势差。这一现象称为pn结的“光伏效应”。由于这些特性,用pn结可制成半导体二极管和光电池等器件。
出处：数理化力学卷-->物 理-->固体物理学 材料科学卷 pn结
在一块半导体中，由于掺杂不同而形成的n型区域和p型区域的交界层。pn结很薄，结中电子和空穴都很少，但在靠近n型一边有带正电荷的离子，p型一边有带负电荷的离子，因而在结中形成很强的局部电场，方向由n区指向p区。当结上加正向电压（即电压的正端加在p区，电压的负端加在n区）时，结中电场减弱，n区中的电子和p区中的空穴都容易通过，因而电流较大；当外加电压方向相反时，则结中电场增强，只有原在n区中的少数空穴和p区中的少数电子能通过，因而电流很小。因此，pn结具有整流作用。当pn结受到光照时，产生电子和空穴。在结的局部电场作用下，电子移到n区，空穴移到p区，这样在结的两端就有电荷累积，形成电势差。这一现象称为pn结的“光伏效应”。由于这些特性，用pn结可制成半导体二极管和光电池等器件。
出处：材料科学卷-->信息功能材料-->元素半导体和硅基材料 材料科学卷 pn结
在一块半导体中，由于掺杂不同而形成的n型区域和p型区域的交界层。pn结很薄，结中电子和空穴都很少，但在靠近n型一边有带正电荷的离子，p型一边有带负电荷的离子，因而在结中形成很强的局部电场，方向由n区指向p区。当结上加正向电压（即电压的正端加在p区，电压的负端加在n区）时，结中电场减弱，n区中的电子和p区中的空穴都容易通过，因而电流较大；当外加电压方向相反时，则结中电场增强，只有原在n区中的少数空穴和p区中的少数电子能通过，因而电流很小。因此，pn结具有整流作用。当pn结受到光照时，产生电子和空穴。在结的局部电场作用下，电子移到n区，空穴移到p区，这样在结的两端就有电荷累积，形成电势差。这一现象称为pn结的“光伏效应”。由于这些特性，用pn结可制成半导体二极管和光电池等器件。
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